高頻等離子熔融法英文名為high frequency plasma melting method，是以高頻等離子炬作為熱源制造石英玻璃的方法。

采用25~100kW、4MHz的高頻發生器在金屬線圈內產生強磁場，發生器內放入石英管作為燈炬，管內以不同的方向和流速通入引燃和操作作用的氬氣、氮氣和氧氣，在離子化氣體中產生電流，因感應加熱產生等離子體，中心溫度極高，可達20000℃，等離子體火焰出口端溫度約為1800℃，出口附近設置一個能旋轉和下降的石英玻璃基體，原料在基體上熔化沉積成石英玻璃。根據使用原料的不同，目前有兩種生產工藝：水晶原料等離子熔融工藝和SiCl₄等離子熔融工藝。

水晶原料等離子熔融工藝所采用的原料為經過處理的水晶或硅石沉積在基體上而成。該工藝生產的石英玻璃純度主要取決于原料的純度，其次取決于所通入氣體的純度。SiCl₄等離子熔融工藝以SiCl₄為原料，氧氣為載流氣體，通過氣相反應，形成的SiO₂沉積在基體上，該工藝生產的石英玻璃純度極高。工藝過程中的化學反應如下：

SiCl₄＋O₂→SiO₂+2Cl₂↑

等離子熔融法因熔制氣氛的特點，石英玻璃中的OH含量極低，通常在5ppm以下。該工藝OH含量的高低主要取決于所通入其它及載流氣體的純度（含水量），若保證氣體純度，OH含量可達到1ppm以下。因此該類石英玻璃在光譜曲線上顯示，0.18～3.5μm無水的吸收峰。透全譜光學石英玻璃（QS型或Ⅳ型）即是此法生產。